logo
Huis > producten > Sensoren, omvormers > TMCS1100A4QDT

TMCS1100A4QDT

fabrikant:
Texas Instrumenten
Beschrijving:
IC OPAMP
Categorie:
Sensoren, omvormers
In-stock:
In voorraad
Specificaties
Categorie:
Sensoren, transducers Stroomsensoren
Polarisatie:
-
Werktemperatuur:
-40 °C ~ 125 °C (TA)
Pakket / doos:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm breedte)
Precisiteit:
-
Type sensor:
Hall-effect
Stroom - Voeding (max):
6mA
Aantal kanalen:
1
Stroom - Sensoren:
-
Reactietijd:
6.5 μs
Pakket:
Tape & Reel (TR)
Output:
Ratiometrisch, Spanning
Voor het meten:
AC/DC
Productstatus:
Actief
Montage-type:
Oppervlakte
Reeks:
-
Gevoeligheid:
400mV/A
Lineariteit:
±0.05%
Verpakking van de leverancier:
8-SOIC
Mfr:
Texas Instrumenten
Frequentie:
80 kHz
Spanning - Voeding:
4.5V ~ 5.5V
Inleiding
Stroomsensor 1 Kanaal Hall Effect 8-SOIC (0,154", 3,90 mm breedte)
Verwante producten
TMCS1107A1BQDRQ1

TMCS1107A1BQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
TMCS1100A1QDRQ1

TMCS1100A1QDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1101BQDT

TMCS1101BQDT

CURRENT SENSOR
TMCS1101A2UQDR

TMCS1101A2UQDR

CURRENT SENSOR
De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de veiligheid van het voertuig.

De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de veiligheid van het voertuig.

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1108A2UQDRQ1

TMCS1108A2UQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

SENSOR CUR HALL 11.25A 8SOIC
Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
DRV421RTJT

DRV421RTJT

IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de in punt 2 van deze bijlage vermelde gegevens.

De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de in punt 2 van deze bijlage vermelde gegevens.

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1108A2BQDR

TMCS1108A2BQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
TMCS1107A4UQDRQ1

TMCS1107A4UQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1108A4BQDR

TMCS1108A4BQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1100A3QDT

TMCS1100A3QDT

IC OPAMP
DRV421RTJR

DRV421RTJR

IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
TMCS1101A3UQDT

TMCS1101A3UQDT

CURRENT SENSOR
TMCS1107A2UQDR

TMCS1107A2UQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1101A2BQDR

TMCS1101A2BQDR

CURRENT SENSOR
TMCS1108A2UQDR

TMCS1108A2UQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1100A2QDRQ1

TMCS1100A2QDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1100A2QDR

TMCS1100A2QDR

PRECISION ISOLATED CURRENT SENSO
TMCS1107BQDRQ1

TMCS1107BQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL 22.5A 8SOIC
PDRV421RTJT

PDRV421RTJT

IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
TMCS1101A1BQDR

TMCS1101A1BQDR

CURRENT SENSOR
TMCS1100A4QDRQ1

TMCS1100A4QDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1107A3UQDRQ1

TMCS1107A3UQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

SENSOR CUR HALL 11.25A 8SOIC
TMCS1101A1BQDRQ1

TMCS1101A1BQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
TMCS1108A3BQDRQ1

TMCS1108A3BQDRQ1

SENSOR CUR HALL 11.25A 8SOIC
Beeld deel # Beschrijving
TMCS1107A1BQDRQ1

TMCS1107A1BQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
TMCS1100A1QDRQ1

TMCS1100A1QDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1101BQDT

TMCS1101BQDT

CURRENT SENSOR
TMCS1101A2UQDR

TMCS1101A2UQDR

CURRENT SENSOR
De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de veiligheid van het voertuig.

De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de veiligheid van het voertuig.

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1108A2UQDRQ1

TMCS1108A2UQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

SENSOR CUR HALL 11.25A 8SOIC
Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat:

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
DRV421RTJT

DRV421RTJT

IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de in punt 2 van deze bijlage vermelde gegevens.

De in punt 2 bedoelde gegevens worden gebruikt voor de beoordeling van de in punt 2 van deze bijlage vermelde gegevens.

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1108A2BQDR

TMCS1108A2BQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
TMCS1107A4UQDRQ1

TMCS1107A4UQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1108A4BQDR

TMCS1108A4BQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1100A3QDT

TMCS1100A3QDT

IC OPAMP
DRV421RTJR

DRV421RTJR

IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
TMCS1101A3UQDT

TMCS1101A3UQDT

CURRENT SENSOR
TMCS1107A2UQDR

TMCS1107A2UQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1101A2BQDR

TMCS1101A2BQDR

CURRENT SENSOR
TMCS1108A2UQDR

TMCS1108A2UQDR

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1100A2QDRQ1

TMCS1100A2QDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1100A2QDR

TMCS1100A2QDR

PRECISION ISOLATED CURRENT SENSO
TMCS1107BQDRQ1

TMCS1107BQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL 22.5A 8SOIC
PDRV421RTJT

PDRV421RTJT

IC FLUXGATE SENSOR 20WQFN
TMCS1101A1BQDR

TMCS1101A1BQDR

CURRENT SENSOR
TMCS1100A4QDRQ1

TMCS1100A4QDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
TMCS1107A3UQDRQ1

TMCS1107A3UQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL EFFECT 8SOIC
De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

De in bijlage I vermelde gegevens moeten worden verzameld.

SENSOR CUR HALL 11.25A 8SOIC
TMCS1101A1BQDRQ1

TMCS1101A1BQDRQ1

SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
TMCS1108A3BQDRQ1

TMCS1108A3BQDRQ1

SENSOR CUR HALL 11.25A 8SOIC
Verzend RFQ
Voorraad:
In Stock
MOQ: